导电类型:N型
电阻率:>200ΩNaN
少子寿命:>1300μs
体金属9元素杂质含量:<0.5ppbw
表金属15元素杂质含量:<0.8ppbw
纯度:>99.999999999%
满足P型单晶、N型单晶硅片使用要求,少数满足半导体使用要求。
是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏产业的最重要的、最基础的功能性材料。
bet356唯一官网生产工艺为改良西门子法,采用了多项自主专利技术(如:一种多晶硅还原炉,发明专利号:ZL201911100707.9;一种多晶硅生产中聚氯硅烷处理装置,发明专利号201911101620.3 等),具有单线生产能力大幅提升、能耗物耗大幅降低、质量行业领先等优势。